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Volume 15, Issue 7, Jul 1994
CONTENTS
利用STM觀察Si（100）微斜面的表面結(jié)構(gòu)
張兆祥，井藤浩志，市川竹男
Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 439-443
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低激發(fā)功率密度下GaAs_（1－x）Px：N（x＝0．88）的NNi對發(fā)光
俞容文，鄭健生，糜?xùn)|林，顏炳章
Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 444-449
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PECVDSi_3N_4鈍化膜對GaAsMESFET直流特性的影響
宮俊
Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 450-454
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GaAs／GaAlAs雙異質(zhì)結(jié)光波導(dǎo)開關(guān)內(nèi)帶隙的注入載流子感生變化
王德煌，王威禮，莊婉如，林雯華
Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 455-459
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砷化鎵聲電荷輸運(yùn)的二維互作用模型
鄒英寅
Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 460-464
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一個(gè)集成光波導(dǎo)器件計(jì)算機(jī)輔助分析系統(tǒng)及其應(yīng)用
陳維友，劉式墉
Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 465-469
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快速氧化生長超薄硅氧化層的變?nèi)肷浣菣E圓偏振研究
馮星偉，蘇毅，戴自怡，陳良堯，錢佑華，方景松，鄭慶平
Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 470-477
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適于半導(dǎo)體器件模擬的改進(jìn)Gummel算法
曹俊誠，鄭茳，魏同立，樊繼山
Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 478-481
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高溫注入離子的擴(kuò)散和激活行為的研究
俞躍輝，鄒世昌
Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 482-487
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中心錐形槽狀光敏門極的200A，1200V光控雙向晶閘管的研制
趙善麒，高鼎三，王正元
Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 488-495
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硅／多孔硅異質(zhì)結(jié)光生電壓譜研究
閻鋒，鮑希茂
Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 496-500
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高遷移率Si／Si0.7Ge0.3／Si調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)的生長和輸運(yùn)性質(zhì)
江若璉，劉建林，李海峰，鄭厚植
Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 501-504
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GaAs表面鈍化的新方法：S2Cl2處理
李喆深，蔡衛(wèi)中，蘇潤洲，侯曉遠(yuǎn)，董國勝，金曉峰，丁訓(xùn)民，王迅
Chin. J. Semicond.  1994, 15(7): 505-510
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