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Volume 15, Issue 8, Aug 1994
CONTENTS
在線性型分子晶體中的局域性集體激發特性
龐小峰
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 511-517
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CoSi2可望成為GaAs MESFET自對準工藝中的柵極材料
金高龍，陳維德，許振嘉
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 518-523
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Co、Ti／Si1－xGex薄膜快速退火固相反應結構和組分研究
亓文杰，李炳宗，黃維寧，顧志光，張翔九，盛篪，胡際璜，呂宏強，衛星，沈孝良
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 524-532
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用離子束輔助淀積多層薄膜技術合成Co－Si化合物薄膜的研究
楊杰，閻忻水，陶琨，范玉殿
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 533-539
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Ar~＋激光輻照對GaAs（100）表面硫鈍化的影響
朱永強，張桂墻，蔡頌儀，郝炳權
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 540-543
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CoSi_2薄膜形成過程中的反應機制
何杰，顧詮，陳維德，許振嘉
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 544-550
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GTR電流增益的二維數值分析
高勇，趙旭東，陳治明
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 551-557
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晶體管非工作期失效率預計
楊家鏗，翁壽松
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 558-564
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Extremely　low　threshold　current　density　strained　InGaAs／AlGaAs　quantum　well　lasers　by　molecular　beam　epitaxy
Yang Guowen, Xu Junying, Xiao Jianwei, Xu Zuntu, Zhang Jingmin, Zhang Wanhua, Zeng Yiping and Chen Lianhui
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 565-568
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多孔化PECVD硅薄膜的室溫光致發光
王燕，廖顯伯，潘廣勤，孔光臨
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 569-572
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離子輻照對多孔硅性質的影響
楊海強，閻鋒，官浩，鮑希茂
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 573-576
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GaAs－AlxGa1－xAs異質結中二維熱電子的負磁阻效應
程文超，朱景兵，李月霞，宋愛民，鄭厚植
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 577-582
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