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Volume 15, Issue 6, Jun 1994
CONTENTS
氫等離子體對(duì)(Pt及其硅化物)/Si界面的雜質(zhì)/缺陷態(tài)和勢(shì)壘的影響
丁孫安,許振嘉
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 367-372
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Si/Si1-xGex應(yīng)變層超晶格折疊聲子能隙的精細(xì)測(cè)量
張鵬翔, D. J. Lockwood, J. M. Baribeau, H. J. Labbe
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 373-382
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進(jìn)一步提高氫離子敏場(chǎng)效應(yīng)晶體管穩(wěn)定性的研究
陳克銘,李國(guó)花,陳朗星,朱燕
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 383-387
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優(yōu)質(zhì)高阻異型厚層硅外延IGBT材料n~-/n~+/p~+
楊謨?nèi)A,黎展榮
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 388-392
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Ⅲ族錮源對(duì)LP-MOVPE方法生長(zhǎng)In1-xGaxAs材料的影響
祝進(jìn)田,胡禮中,劉式墉
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 393-396
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GaAs表面等離激元偏振子的激勵(lì)以及它的偏光依賴性
吳鼎祥
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 397-401
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微氮硅單晶熱處理性質(zhì)研究
楊德仁,姚鴻年,闕端麟
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 402-408
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硅鍺分子束外延層表面形貌的掃描隧道顯微鏡研究
周鐵城,蔡群,朱昂如,董樹忠,盛篪,俞鳴人,張翔龍,王迅
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 409-415
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用非相干光時(shí)間延遲四波混頻測(cè)量載流子復(fù)合時(shí)間
張希清,趙家龍,泰偉平,黃世華
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 416-421
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微氮硅單晶中氧沉濱
楊德仁,姚鴻年,闕端麟
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 422-428
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硼摻雜多晶硅薄膜電阻率的溫度特性
劉曉為,張國(guó)威,劉振茂,理峰
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 429-434
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Si+ 注入InP材料的歐姆接觸特性研究
沈鴻烈,徐宏來(lái),周祖堯,林梓鑫,鄒世昌
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 435-438
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