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Volume 16, Issue 1, Jan 1995
CONTENTS
非晶氮化硅納米粒子Ⅰ：連續無規網絡模型
左都羅，李道火，夏宇興
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 1-7
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閃鋅礦結構Zn1－xMnxSe混晶光學聲子行為
過毅樂，勞浦東
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 8-12
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本文計算了閃鋅礦結構Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ光學聲子頻率隨組分ｘ值的改變．計算表明，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ混晶的光學聲子屬混模行為．在計算中，表征晶格常數改變對力常數影響的物理量，不同混晶應取不同的值．

本文計算了閃鋅礦結構Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ光學聲子頻率隨組分ｘ值的改變．計算表明，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ混晶的光學聲子屬混模行為．在計算中，表征晶格常數改變對力常數影響的物理量，不同混晶應取不同的值．
用高分辨電子能量損失譜和紫外光電子譜研究多孔硅的電子結構
郝平海，侯曉遠，丁訓民，賀仲卿，蔡衛中，王迅
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 13-18
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多孔硅的微觀結構及其氧化特性
黃宜平，鄭大衛，李愛珍，湯庭鰲，崔塹，張翔九
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 19-25
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GaP／Si異質結的制備及特性
王兢，鄧希敏，苗忠禮，劉國范，楊樹人
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 26-30
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MOCVD GaInP材料本底濃度及其摻Zn時組分的控制
余慶選，彭瑞伍，勵翠云
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 31-35
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MeV~（28）Si~＋注入GaAs的兩步快退火行為
張燕文，姬成周，李國輝，王文勛
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 36-41
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外延層組分界面狀況的X射線雙晶衍射測定
朱南昌，李潤身，陳京一，許順生
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 42-47
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GaAs／AlGaAs多量子阱二維面陣紅外探測器
李晉閩，鄭海群，曾一平，孔梅影
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 48-51
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C波段3瓦T形電極硅雙極晶體管
張樹丹，王因生，李相光，陳統華，譚衛東，鄭承志，劉六亭，陳培棣
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 52-55
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半導陶瓷濕度傳感器的組分分析
胡緒洲
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 56-61
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鍺硅脊形光波導Y分支器的模擬及試制
潘姬，趙鴻麟，楊恩澤
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 62-66
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場限環電場分布的有限元分析
荊春雷，肖浦英，陳治明
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 67-72
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半導體器件瞬態模型漸近分析
曹俊誠，魏同立，鄭茳
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 73-76
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GaAs／AlAs超晶格Γ－X級聯隧穿導致的電場疇
張耀輝，楊小平，劉偉，崔麗秋，江德生
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 77-80
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