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Volume 15, Issue 9, Sep 1994
CONTENTS
在非線性分子固體中的自局域性集體激發特性
龐小峰
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 583-587
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GexSi1－x／Si（001）量子阱的電子結構及光躍遷
徐至中
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 588-595
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布里茲曼法碲鎘汞（Hg1－xCdxTe）晶體生長過程熱場的數值分析
王培林，魏科，周士仁
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 596-602
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自對準Ti－SALICIDE　LDD　MOS工藝研究
徐秋霞，龔義元，張建欣，汪鎖發，翦進，海潮和，扈煥章
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 603-610
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為SIMOX　SOI結構的硅膜和二氧化硅埋層厚度模型
牛國富，阮剛
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 611-616
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高壓編移柵P溝MOSFET的電離輻照性能研究
嚴榮良，高文鈺，張國強，余學鋒，羅來會，任迪遠，趙元富，李蔭波
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 617-622
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InGaAsP／InP掩埋條型激光器的漏電流分析
何振華，王圩
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 623-630
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注入光敏三極管的基本特性和分析
何民才，黃啟俊，陳炳若，龍理，陳暢生，戴鋒，池桂梅
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 631-637
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利用逐層生長技術制備硅薄膜的研究
陳茂瑞，陳坤基，姜建功，施偉華
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 638-642
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實現氣敏元件靈敏度倍增的一種方法
吳興惠，李艷峰，周楨來，田子華
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 643-649
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MBE生長高質量GaAs／AlGaAs量子阱激光器
楊國文，肖建偉，徐遵圖，張敬明，徐俊英，鄭婉華，曾一平，陳良惠
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 650-654
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