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Volume 15, Issue 12,
Dec 1994
Chin. J. Semicond.
1994, 15(12): 809-813
本文用喇曼散射方法研究了在ＧａＡｓ襯底上用Ｓ－槍磁控反應濺射的ＡｌＮ和ＰＥＣＶＤ淀積的ＳｉＯｘＮｙ薄膜的界面應力，并研究了這兩種薄膜在Ｎ２和Ａｒ氣氛下的高溫熱處理對界面應力的影響．結果表明，與ＳｉＯｘＮｙ薄膜不同，在ＧａＡｓ襯底上制備的ＡｌＮ薄膜，其界面應力很小，而且經Ｎ２和Ａｒ氣氛下的高溫快速熱退火，仍具有較好的穩定性，從而表明ＡｌＮ是ＧａＡｓ集成電路技術中一種較好的絕緣介質、鈍化層和保護材料．
Chin. J. Semicond.
1994, 15(12): 814-819
Chin. J. Semicond.
1994, 15(12): 820-825
Chin. J. Semicond.
1994, 15(12): 826-831
Chin. J. Semicond.
1994, 15(12): 844-849
本文運用Ｒ．Ａ．Ｓ（Ｒｅｇｕｌａｒ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）模型的基本原理，導出了簡明的適用于ＡⅡ－ＢⅥ－ＣⅥ三元系富Ⅵ族區的液固平衡方程．并由此計算了Ｚｎ－Ｓｅ－Ｔｅ三元系富Ｔｅ區的液固平衡曲線，計算結果與已有的實驗數據符合．最后，對ＺｎＳｅ０.５２Ｔｅ０.４８在（１００）ＩｎＰ襯底上的液相外延生長進行了實驗研究．
Chin. J. Semicond.
1994, 15(12): 850-857
基于異質結漂移－擴散模型，考慮Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ統計和重摻雜能帶窄變（ＢＧＮ）效應，對具有非均勻摻雜基區的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ進行了數值模擬．結果表明，當基區非均勻程度較大時，非均勻摻雜引起的基區自建場遠大于ＢＧＮ效應產生的反向場．基區非均勻摻雜能提高電流增益，但提高的幅度隨非均勻程度的增加而減慢．基區非均勻摻雜可明顯改善截止頻率ｆＴ，但同時也增加了集電結空間電荷區渡越時間τｃ，ｓｃＲ，使得ｆＴ在非均勻程度較大時開始下降．發射極－集電極ｏｆｆｓｅｔ電壓在一定的非均勻程度下達到最佳值．
Chin. J. Semicond.
1994, 15(12): 858-863
