Abstract:
本文運用Ｒ．Ａ．Ｓ（Ｒｅｇｕｌａｒ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）模型的基本原理，導出了簡明的適用于ＡⅡ－ＢⅥ－ＣⅥ三元系富Ⅵ族區的液固平衡方程．并由此計算了Ｚｎ－Ｓｅ－Ｔｅ三元系富Ｔｅ區的液固平衡曲線，計算結果與已有的實驗數據符合．最后，對ＺｎＳｅ０.５２Ｔｅ０.４８在（１００）ＩｎＰ襯底上的液相外延生長進行了實驗研究．
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Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 December 1994
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陳根祥，李洵，簡水生. Zn－Se－Te三元系富Te區的液固平衡以及ZnSe0.52Te0.48薄膜在（100）InP襯底上的LPE法生長[J]. 半導體學報(英文版), 1994, 15(12): 844-849.
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本文運用Ｒ．Ａ．Ｓ（Ｒｅｇｕｌａｒ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）模型的基本原理，導出了簡明的適用于ＡⅡ－ＢⅥ－ＣⅥ三元系富Ⅵ族區的液固平衡方程．并由此計算了Ｚｎ－Ｓｅ－Ｔｅ三元系富Ｔｅ區的液固平衡曲線，計算結果與已有的實驗數據符合．最后，對ＺｎＳｅ０.５２Ｔｅ０.４８在（１００）ＩｎＰ襯底上的液相外延生長進行了實驗研究．
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