Abstract:
本文用喇曼散射方法研究了在ＧａＡｓ襯底上用Ｓ－槍磁控反應濺射的ＡｌＮ和ＰＥＣＶＤ淀積的ＳｉＯｘＮｙ薄膜的界面應力，并研究了這兩種薄膜在Ｎ２和Ａｒ氣氛下的高溫熱處理對界面應力的影響．結果表明，與ＳｉＯｘＮｙ薄膜不同，在ＧａＡｓ襯底上制備的ＡｌＮ薄膜，其界面應力很小，而且經Ｎ２和Ａｒ氣氛下的高溫快速熱退火，仍具有較好的穩定性，從而表明ＡｌＮ是ＧａＡｓ集成電路技術中一種較好的絕緣介質、鈍化層和保護材料．
Article views: 2388 Times PDF downloads: 1363 Times Cited by: 0 Times
Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 December 1994
| Citation: |
侯永田，張樹霖，高玉芝，尹紅坤，寧寶俊，李婷，張利春. AlN和SiOxNy薄膜與其GaAs襯底間界面應力的喇曼光譜研究[J]. 半導體學報(英文版), 1994, 15(12): 809-813.
|
本文用喇曼散射方法研究了在ＧａＡｓ襯底上用Ｓ－槍磁控反應濺射的ＡｌＮ和ＰＥＣＶＤ淀積的ＳｉＯｘＮｙ薄膜的界面應力，并研究了這兩種薄膜在Ｎ２和Ａｒ氣氛下的高溫熱處理對界面應力的影響．結果表明，與ＳｉＯｘＮｙ薄膜不同，在ＧａＡｓ襯底上制備的ＡｌＮ薄膜，其界面應力很小，而且經Ｎ２和Ａｒ氣氛下的高溫快速熱退火，仍具有較好的穩定性，從而表明ＡｌＮ是ＧａＡｓ集成電路技術中一種較好的絕緣介質、鈍化層和保護材料．
WeChat ID
Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved 京ICP備05085259號-2
DownLoad: