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Volume 15, Issue 4, Apr 1994
CONTENTS
GaAs-Ga1-xAlxAs異質(zhì)結(jié)附近類氫雜質(zhì)束縛能及其受像勢(shì)的影響
李樹深,袁偉,劉建軍,孔小均
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 223-228
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利用CBE技術(shù)在Si襯底上生長GaAs薄膜
邢益榮
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 229-234
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Co/Ti/Si三元固相反應(yīng)外延生長CoSi2薄膜
劉平,李炳宗,孫臻,顧志光,黃維寧,周祖堯,倪如山
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 235-242
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InP系量子阱相位調(diào)制器的理論設(shè)計(jì)
陳建新,鄔祥生
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 243-247
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p- 型多孔硅的拉曼光譜與結(jié)構(gòu)特征
王昕,何國山,張樹霖,刁鵬,李經(jīng)建,蔡生民
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 248-254
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GaAs微微秒光導(dǎo)開關(guān)的研究
潘家齊,呂福云,袁樹忠,李曉民,莊婉如
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 255-260
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γ輻照的半絕緣GaAs:Cr的電子順磁共振研究
傅濟(jì)時(shí),朱美棟,毛晉昌,吳恩,秦國剛,魏根栓,張鈺華,王永鴻,馬碧春
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 261-263
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熱壁MOCVD Hg1-xCdxTe中的Hg蒸汽壓和分配比
丁永慶,彭瑞伍,韋光宇,陳記安,李賢春,張玉平,劉克岳,趙振香
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 264-267
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MOCVD過程中回流現(xiàn)象的數(shù)值模擬
張佳文,高鴻楷,張濟(jì)康,楊永
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 268-272
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一種新型結(jié)構(gòu)的LB膜化學(xué)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的氣敏特性研究
顧長志,孫良彥,張彤,文珂
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 273-276
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MOS結(jié)構(gòu)低溫負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性
陸德仁,朱德光
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 277-284
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稀土Er離子注入InP的退火及發(fā)光特性
章蓓,陳孔軍,王舒民,丁曉民,虞麗生,鄭婉華,徐俊英,李儀
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 285-288
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用MOCVD在非平面襯底上生長的量子阱、量子線及其光學(xué)性質(zhì)
錢毅,鄭婉華,鄭聯(lián)喜,張霞,胡雄偉,陳良惠,王啟明
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 289-294
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