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Volume 15, Issue 5, May 1994
CONTENTS
Si／SiO2界面態(tài)的俘獲截面及態(tài)密度的能量分布
陳開茅，毛晉昌，武蘭青，元民華，金泗軒，劉鴻飛
Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 295-303
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a－Si∶H中第二類亞穩(wěn)缺陷的觀察
孫國(guó)勝，夏傳鉞，鄭義霞，孔光臨
Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 304-311
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氣態(tài)源分子束外延（AlGa）InP和GaInP／AlInP多量子阱材料
袁瑞霞，閻春輝，國(guó)紅熙，李曉兵，朱世榮，李靈肖，曾一平，孔梅影
Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 312-316
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低溫分子束外延GaAs薄膜的研究
鄧航軍，范緹文，王占國(guó)，梁基本，朱戰(zhàn)萍，李瑞鋼
Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 317-321
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EL2光淬滅過(guò)程中光電導(dǎo)增強(qiáng)現(xiàn)象原因新探
徐波，王占國(guó)，萬(wàn)壽科，孫紅，張輝，楊錫權(quán)，林蘭英
Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 322-328
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GaAs／AlGaAs單量子阱中界面粗糙度散射
王杏華，鄭厚植，余濤
Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 329-332
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Cd1－xMnxTe的巨大法拉第旋轉(zhuǎn)與激子躍遷
王學(xué)忠，陳辰嘉，王榮明，閻志成，馬可軍
Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 333-338
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砷化鎵SJFET四端器件
任新國(guó)，歐海疆，王渭源，夏冠群
Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 339-345
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半導(dǎo)體激光器噪聲特性的電路模擬
任新根，徐國(guó)萍，董天臨
Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 346-353
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鍵合Si／SiO2／Si結(jié)構(gòu)的C－V特征
黃慶安，陳軍寧，張會(huì)珍，童勤義
Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 354-360
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TiSi2 Polycide LDD MOS工藝研究
徐秋霞，龔義元，張建欣，扈煥章，汪鎖發(fā)，李衛(wèi)寧
Chin. J. Semicond.  1994, 15(5): 361-366
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