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Volume 15, Issue 3, Mar 1994
CONTENTS
（Pt及其硅化物）／硅界面的深能級研究
丁孫安，許振嘉
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 149-155
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生長在Si（001）襯底上的應變合金GexSi1－x的價帶電子能帶結構
徐至中
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 156-162
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GaAs／Al0.33Ga0.67As短周期超晶格中能帶不連續性隨壓力的變化
劉振先，李國華，韓和相，汪兆平
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 163-170
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Cd1－xMnxTe／CdTe多量子阱的光反射研究
章靈軍，單偉，姜山，沈學礎
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 171-179
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適用于寬溫度范圍和不同溝遭摻雜濃度的MOSFET反型層載流子遷移率模型
黃驍虎，阮剛
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 180-187
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高靈敏度低暗電流GaAs量子阱紅外探測器
鐘戰天，周小川，杜全鋼，周鼎新，吳榮漢，王森，李承芳，於美云，徐俊英，朱勤生
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 188-193
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ICB方法生長CdTe單晶薄膜的研究
馮嘉猷，張芳偉，范玉殿，李恒德
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 194-198
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多量子阱光波導中非線性TE波的有限元解
趙安平，于榮金
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 199-203
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利用電子束摻雜技術制備微米、亞微米P－MOSFET器件
李秀瓊，海潮和，楊軍
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 204-207
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CdSe／ZnTe超晶格微觀界面模的多聲子喇曼光譜研究
侯永田，金鷹，張樹霖，李杰，袁詩鑫
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 208-212
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SiGe／Si量子阱結構材料的激子發光譜
黃大鳴，楊敏，盛篪，盧學坤，龔大衛，張翔九，王迅
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 213-216
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Determination　of　Interstitial　Oxygen　Concentration　in　Heavily　Doped　Silicon　by　Combination　of　Neutron　Irradiation　and　FTIR
Ma Zhenyu, Wang Qiyuan, Zan Yude, Cai Tianhai, Yu Yuanhuan, Lin Lanying
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 217-222
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