Issue Browser
Volume 15, Issue 10,
Oct 1994
Chin. J. Semicond.
1994, 15(10): 655-659
Chin. J. Semicond.
1994, 15(10): 660-664
Chin. J. Semicond.
1994, 15(10): 665-669
本文以開發長波長半導體光電子材料為目的，對ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ這一大失配異質結材料開展了較為深人的研究，利用國產ＭＢＥＩＩＩ型設備外延生長了全組分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化學熱力學數據分析表明，Ｓｂ結合到ＧａＡｓSｂ中的速率比Ａｓ高得多，實驗表明，合金組分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也發現Ｓｂ束流的支配作用隨溫度升高而降低．利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技術研究了異質結界面及外延層的晶體質量，實驗表明采用組分階變的過渡層有效地抑制了界面位錯向體層的延伸，可以獲得較高晶體質量的外延層．
Chin. J. Semicond.
1994, 15(10): 674-680
Chin. J. Semicond.
1994, 15(10): 694-699
Chin. J. Semicond.
1994, 15(10): 700-703
Chin. J. Semicond.
1994, 15(10): 704-710
Chin. J. Semicond.
1994, 15(10): 711-715
Chin. J. Semicond.
1994, 15(10): 716-720
研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ結構的電學特性．Ｉ－Ｖ結果表明這一結構具有強整流效應，這意味著在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在著一個勢壘，或稱Ｃ６０／Ｓｉ異質結．高頻Ｃ－Ｖ結果表明在Ｃ６０層中存有約１０１２～１０１３ｃｍ－２的可動負離子．這些離子的松弛溫度高于３５０Ｋ，凍結溫度低于２６０Ｋ，以及在３００－３７０Ｋ的測量溫度范圍內，Ｃ６０膜的相對介電常數與溫度無關，即εＣ６０＝３．７±０．１．
Chin. J. Semicond.
1994, 15(10): 721-726
