Abstract:
研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ結構的電學特性．Ｉ－Ｖ結果表明這一結構具有強整流效應，這意味著在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在著一個勢壘，或稱Ｃ６０／Ｓｉ異質結．高頻Ｃ－Ｖ結果表明在Ｃ６０層中存有約１０１２～１０１３ｃｍ－２的可動負離子．這些離子的松弛溫度高于３５０Ｋ，凍結溫度低于２６０Ｋ，以及在３００－３７０Ｋ的測量溫度范圍內，Ｃ６０膜的相對介電常數與溫度無關，即εＣ６０＝３．７±０．１．
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Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 October 1994
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陳開茅，金泗軒，賈勇強，吳克，李傳義，顧鎮南，周錫煌. Nb／C60／p型Si結構的特性[J]. 半導體學報(英文版), 1994, 15(10): 716-720.
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研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ結構的電學特性．Ｉ－Ｖ結果表明這一結構具有強整流效應，這意味著在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在著一個勢壘，或稱Ｃ６０／Ｓｉ異質結．高頻Ｃ－Ｖ結果表明在Ｃ６０層中存有約１０１２～１０１３ｃｍ－２的可動負離子．這些離子的松弛溫度高于３５０Ｋ，凍結溫度低于２６０Ｋ，以及在３００－３７０Ｋ的測量溫度范圍內，Ｃ６０膜的相對介電常數與溫度無關，即εＣ６０＝３．７±０．１．
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