Abstract:
本文以開發長波長半導體光電子材料為目的，對ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ這一大失配異質結材料開展了較為深人的研究，利用國產ＭＢＥＩＩＩ型設備外延生長了全組分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化學熱力學數據分析表明，Ｓｂ結合到ＧａＡｓSｂ中的速率比Ａｓ高得多，實驗表明，合金組分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也發現Ｓｂ束流的支配作用隨溫度升高而降低．利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技術研究了異質結界面及外延層的晶體質量，實驗表明采用組分階變的過渡層有效地抑制了界面位錯向體層的延伸，可以獲得較高晶體質量的外延層．
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Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 October 1994
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閻春輝，鄭海群，范緹文，孔梅影，曾一平，黃運衡，朱世榮，孫殿照. 分子束外延GaAs1－xSbx／GaAs及界面失配研究[J]. 半導體學報(英文版), 1994, 15(10): 665-669.
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本文以開發長波長半導體光電子材料為目的，對ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ這一大失配異質結材料開展了較為深人的研究，利用國產ＭＢＥＩＩＩ型設備外延生長了全組分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化學熱力學數據分析表明，Ｓｂ結合到ＧａＡｓSｂ中的速率比Ａｓ高得多，實驗表明，合金組分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也發現Ｓｂ束流的支配作用隨溫度升高而降低．利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技術研究了異質結界面及外延層的晶體質量，實驗表明采用組分階變的過渡層有效地抑制了界面位錯向體層的延伸，可以獲得較高晶體質量的外延層．
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