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Volume 17, Issue 1, Jan 1996
CONTENTS
在Ge和SiGe復合緩沖層上生長高質量Ge／Si超晶格
盛篪，周鐵城，龔大衛，樊永良，王建寶，張翔九，王迅
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 1-5
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氣態源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料
袁瑞霞，閻春輝，國紅熙，李曉兵，朱世榮，曾一平，李靈霄，孔梅影
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 6-10
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退火氣氛對SIMOX材料Si／SiO_2界面特性的影響
李映雪，奚雪梅，王兆江，張興，王陽元，林成魯
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 11-15
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偏心Bridgman－Hg_（1－x）Cd_xTe晶體生長S－L界面形狀的數值模擬
王培林，鄧開舉，張國艷，周士仁
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 16-20
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增益開關半導體激光超短脈沖研究
賈剛，衣茂斌，孫偉，高鼎三
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 21-26
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全離子注入自對準難熔金屬氮化物復合柵GaAs MESFET技術研究
高玉芝，張利春，尹紅坤，寧寶俊
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 27-34
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注F CC4007電路的電離輻射效應
張國強，嚴榮良，羅來會，余學峰，任迪遠，趙元富，胡浴紅
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 35-40
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多晶／單晶界面參數對發射區渡越時間影響的解析模型
馬平西，張利春，趙寶瑛，王陽元
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 41-50
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InP系波導和光電探測器單片集成
楊易，陳興國，程宗權，王惠民，呂章德，蔣惠英，王晨，施惠英，吳學海，朱祖華，胡征
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 51-54
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IGBT準數值模型和模擬
弓小武，樓旭，羅晉生
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 55-59
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MBE生長Zn_（1－x）Cd_xSe／ZnSe超晶格的SIMS和AES譜
葉海，陳云良，王海龍
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 60-64
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GaAs MESFET中肖特基勢壘接觸退化機理的研究
李志國，趙瑞東，孫英華，吉元，程堯海，郭偉玲，王重，李學信
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 65-70
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高溫退火硅單晶中氧和氮雜質性質
楊德仁，闕端麟
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 71-75
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硅基多孔β－SiC藍光發射的穩定性
廖良生，鮑希茂，王水鳳，閔乃本
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 76-80
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