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Volume 16, Issue 6, Jun 1995
CONTENTS
超晶格微帶電子態隨電場演化過程的電解液電反射譜研究
劉偉，江德生，張耀輝，王若楨
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 401-406
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P－型HgCdTe MIS結構反型層激發態子能帶結構研究
劉坤，褚君浩，李標，湯定元
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 407-412
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MOCVD生長的Ⅱ－Ⅵ族化合物固溶體組分的熱力學分析2．Hg_（1－x）Cd_xTe體系
陸大成，段樹坤
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 413-420
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分布反饋式半導體激光器／電吸收型調制器單片光子集成器件的理論分析
司偉民，羅毅，李德杰，張克潛，孫長征
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 421-427
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植入式程控生理型（DDD）心臟起搏器中程控解碼器的設計和集成
陳群偉，洪志良
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 428-433
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MBE－GaAs／Si材料晶體質量對少子擴散長度的影響
胡雨生，汪樂
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 434-438
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非晶硅X－射線探測陣列的研究
鄭懷德，廖顯伯，孔光臨，刁宏偉，萬旭東，夏傳鉞，潘廣勒，肖君
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 439-442
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多晶硅發射區晶體管的解析模型
馬平西，張利春，趙寶瑛，王陽元
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 443-451
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一種全對稱高分辨精度的多端電流型MAX門和MIN門電路
李斌橋，李志堅，石秉學
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 452-457
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數據流圖的優化：時序重構和結合關系重構
王以峰，洪先龍，徐葭生
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 458-467
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硼摻雜半導體金剛石薄膜的合成與紅外吸收特性
張仿清，謝二慶，楊斌，才永明，陳光華
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 468-472
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雜質鍺對CZ－Si性能的影響
張維連，劉彩池，王志軍，冀志江
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 473-476
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光致發光納米晶粒硅薄膜的電子自旋共振研究
劉湘娜，王路春，佟嵩，鮑希茂，眭云霞，韓世瑩，金通政
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 477-480
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