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Volume 16, Issue 5, May 1995
CONTENTS
在脊形波導級聯雙區量子阱激光器中皮秒光脈沖的產生
張敬明，徐遵圖，楊國文，鄭婉華，李世祖，肖建偉，徐俊英，陳良惠
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 321-327
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Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si應變層超晶格材料退火穩定性的X射線雙晶衍射研究
朱南昌，陳京一，胡文捷，李潤身，許順生，周國良，張翔九，俞鳴人
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 328-333
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AlGaAs／GaAs超晶格界面平整度的X射線雙晶衍射研究
莊巖，王玉田，李建中
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 334-338
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用GSMBE法生長匹配型GaInAsP／InP材料及量子阱、面發射激光器結構的研究
林世鳴
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 339-343
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In_（0．6）Ga_（0．4）As／InP應變量子阱的光致發光
高瑛，劉學彥，趙家龍，蘇錫安，秦福文，楊樹人，劉寶林，陳佰軍，劉式墉
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 344-349
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具有金屬反射膜的鎢絲掩蔽兩次質子轟擊垂直腔面發射激光器
杜國同，姜秀英，劉素平，劉穎，高鼎三
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 350-353
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GaAs／GaAlAs多量子阱CCTS結構雙穩態激光器的實驗研究
熊飛克，高文智，吳榮漢，王啟明
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 354-357
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光交換中的半導體增益光開關門的研究
張志堅，張朝陽，郭奕理，周炳琨，張權生，吳榮漢
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 358-364
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開關電容陣列濾波器的設計
姜黎，李聯
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 365-370
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高純GaAs的非線性伏安特性
陳忠輝，劉普霖，史國良，陸衛，沈學礎
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 371-375
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MNOS電容的輻照吸收特性
劉毓耿，易清明，劉競云
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 376-379
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低溫半導體器件模擬的誤差限方法
曹俊誠，魏同立
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 380-384
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CMOS電路抗Latchup性能研究
費新礴，朱正涌
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 385-390
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SiO_2鈍化腹對硅／玻璃靜電鍵合的影響
黃慶安，童勤義
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 391-394
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同步輻射光電子能譜研究室溫下Na對InP（100）表面氮化反應的影響
季航，趙特秀，王曉平，吳建新，徐彭壽，陸爾東，許振嘉
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 395-400
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