Abstract:

基于異質結漂移－擴散模型，考慮Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ統計和重摻雜能帶窄變（ＢＧＮ）效應，對具有非均勻摻雜基區的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ進行了數值模擬．結果表明，當基區非均勻程度較大時，非均勻摻雜引起的基區自建場遠大于ＢＧＮ效應產生的反向場．基區非均勻摻雜能提高電流增益，但提高的幅度隨非均勻程度的增加而減慢．基區非均勻摻雜可明顯改善截止頻率ｆ_Ｔ，但同時也增加了集電結空間電荷區渡越時間τ_{ｃ，ｓｃＲ}，使得ｆ_Ｔ在非均勻程度較大時開始下降．發射極－集電極ｏｆｆｓｅｔ電壓在一定的非均勻程度下達到最佳值．