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Volume 16, Issue 10, Oct 1995
CONTENTS
InGaAs／InP超晶格材料的GSMBE生長研究
孫殿照，王曉亮，李曉兵，國紅熙，閻春輝，李建平，朱世榮，李靈霄，曾一平，孔梅影，侯洵
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 725-729
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短周期GaAs／AlAs超晶格的光頻介電函數譜理論的實驗檢驗
莫黨，譚健華，陳宗圭，楊小平，張鵬華，張偉，陳良堯
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 730-735
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定域再結晶SOI的透射電鏡研究
劉安生，邵貝羚，李永洪，劉崢，張鵬飛，錢佩信
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 736-740
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高效AlxGa_（1—x）As／GaAs太陽電池的研制及輻照效應
李標，向賢碧，游志樸，許穎，費雪英
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 741-746
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GaAs中氧的SIMS相對靈敏度因子的測定
陳春華，陳新，王佑祥，姜志雄
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 747-753
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收集區局部摻雜的硅雙極晶體管的二維數值分析
林緒倫
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 754-758
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高能離子注入硅中自由載流子的等離子效應的光學響應研究
俞躍輝，鄒世昌，周筑穎，趙國慶
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 759-765
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硼離子注入半絕緣InP和N型InP的電特性研究
趙杰，劉寶鈞，李建蒙
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 766-771
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多能MeV硼離子注入單晶硅形成特殊形狀載流子分布
康一秀，趙渭江，王宇鋼，張利春，虞福春
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 772-778
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用射頻偏壓濺射制備的具有快速紫外光響應的ZnO薄膜
張德恒
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 779-782
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硼摻雜及未摻雜金剛石薄膜的電學和光電導特性
張仿清，張文軍，胡博，謝二慶，陳光華
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 783-788
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直拉硅單晶中熱施主的快速熱退除
欒洪發，張果虎，李兵，陳學清，秦福，錢佩信
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 789-793
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退火條件對β—FeSi_2形成的影響
陳向東，王連衛，林賢，林成魯，鄒世昌
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 794-797
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SiO_2全封閉的硅量子線列陣
施毅，劉建林，汪峰，張榮，韓平，余是東，張學淵，顧書林，胡立群，茅保華，鄭有
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 798-800
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固體C_（70）／P型Si接觸的電學性質
陳開茅，賈勇強，吳克，金泗軒，李傳義，周錫煌，顧鎮南
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 801-804
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