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Volume 16, Issue 11, Nov 1995
CONTENTS
硅離子簇的理論研究
楚天舒，張瑞勤，戴國才
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 805-810
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CdTe（111）表面電子態及其H吸附的電子結構研究
張海峰，李永平，方容川
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 811-814
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H原子吸附對Si（113）表面的影響
張瑞勤，吳汲安，邢益榮
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 815-819
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水分子在Si（100）面上吸附位的確定
張瑞勤，楚天舒，戴國才，吳汲安，邢益榮
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 820-825
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硅分子束外延中硼δ摻雜生長研究
陳祥君，楊宇，龔大衛，陸昉，王建寶，樊永良，盛篪，孫恒慧
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 826-830
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GaN的MOCVD生長
陸大成，汪度，王曉暉，董建榮，劉祥林，高維濱，李成基，李蘊言
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 831-834
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稀磁半導體Cd_（1－x）Fe_xTe的巨法拉第效應
王學忠，王榮明，陳辰嘉，馬可軍
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 835-841
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埋藏有Ag超微粒子的Cs_2O薄膜光電時間響應的研究
吳錦雷，郭翎健，吳全德
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 842-848
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77K NMOSFET溝道熱載流子注入效應
劉衛東，李志堅，劉理天，魏同立
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 849-853
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光泵外腔面發射InGaAs／InP半導體激光器
向望華，町田進，渡部仁貴，山本喜久
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 854-856
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雙固相外延技術及高性能1μmCMOS／SOS器件的研究
張興，石涌泉，路泉，黃敞
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 857-861
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集電極電流密度和基區渡越時間的解析模型
馬平西，張利春，王陽元
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 862-868
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三重擴散型IGBT的計算機模擬分析
李如春，陳去非，陳啟秀
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 869-873
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α－（Sb_xFe_（1－x））_2O_3半導體的固溶與導電機制的相關性
沈瑜生，張瑞芳，張開舒，劉杏芹
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 874-878
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GaSb晶體的高能N~＋注入及其光學性質
鄭玉祥，蘇毅，周仕明，馬宏舟，陳良堯，鄭安生，錢佑華，林成魯，何冶平
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 879-884
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