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Volume 15, Issue 2, Feb 1994
CONTENTS
Si　NIPI　結(jié)構(gòu)中光伏響應(yīng)的極性及與淺雜質(zhì)有關(guān)的光躍遷
羅昌平，江德生，李鋒，莊蔚華，李玉璋
Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 75-82
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InGaAs－GaAs　短周期應(yīng)變層超晶格調(diào)制反射光譜中的　Franz－Keldysh　振蕩
劉偉，江德生，王若楨，周鈞銘，王鳳蓮
Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 83-88
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GaAs／AlGaAs　MQW　子帶吸收及其　Stark　效應(yīng)的理論與實驗研究
吳云，陳正豪，劉勝茂
Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 89-97
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GaAs／AlGaAs多量子阱紅外探測器材料研究
杜全鋼，鐘戰(zhàn)天，周小川，牟善明，徐貴昌，蔣健，段海龍，王昌衡
Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 98-102
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三元合金(GaSb)1－xGe2x，(InP)1－xGe2x的亞穩(wěn)有序無序相變以及相變對于能隙的影響
倪軍，顧秉林，朱嘉麟
Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 103-108
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GaAs1×2Mach－Zehnder波導(dǎo)開關(guān)／調(diào)制器
馮浩，王明華
Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 109-114
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硅　SIMOX　單模脊形光波導(dǎo)研制
潘姬，譚雁，栗國星，趙鴻麟，楊恩澤
Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 115-118
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GaAs／GaP界面的X射線掠入射衍射分析
崔樹范，吳蘭生，王觀明，麥振洪，王春艷，王玉田，李梅，葛中久
Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 119-122
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半導(dǎo)體溫差發(fā)電器性能的優(yōu)化分析
陳金燦，嚴(yán)子浚
Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 123-129
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高開關(guān)比（Ion／Ioff）a－Si TFT
熊紹珍，孟志國，代永平，周禎華，張建軍，莫希朝，李德林，趙庚申，徐溫元
Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 130-135
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Si（337）──另一個較穩(wěn)定的高密勒指數(shù)晶面
邢益榮
Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 136-138
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完全　MBE　生長的內(nèi)含吸收型光柵　GaAlAs／GaAs　多量子阱增益耦合型分布反饋式半導(dǎo)體激光器
羅毅，司偉民，張盛忠，陳鏑，王健華，蒲銳
Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 139-144
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LaFeO3柵膜FET氣體傳感器的研究
趙善麒，徐寶琨，趙慕愚，彭作巖，才宏，邢建力
Chin. J. Semicond.  1994, 15(2): 145-148
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